概述
该器件包括两个专门在双MLP封装的N沟道MOSFET。 开关节点已在内部连接,方便放置和同步降压转换器的路由。 控制MOSFET(Q1)和synchronousSyncFET(Q2)已设计提供最佳的电源效率。
特点
问题1:N沟道
最大R DS(ON)= 10.0mΩat的V GS = 10V,I D = 12一个
最大R DS(ON)= 13.6MΩ在V GS = 4.5V,I D = 10
问题1:N沟道
最大R DS(ON)= 6.3MΩ在V GS = 10V,I D = 15一个
最大R DS(ON)= 7.2MΩ在V GS = 4.5V,I D = 13
符合RoHS标准
应用/框图(S)
计算
通讯
通用负载点
笔记本电脑的VCORE
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