特点
最大R DS(ON)= 13MΩ在V GS = 10V,I D = 11
最大RD S(上)= 20MΩ在V GS = 4.5 V时,I D = 9
薄型,在新封装的MicroFET的2x2毫米 - 0.8毫米最大 -
无卤素化合物和氧化锑
符合RoHS标准
应用/框图(S)
直流 - 直流降压转换器
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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