概述
这些P沟道增强型场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的,高细胞密度,DMOS技术。 这非常高的密度过程是量身定制,以尽量减少通态电阻低门极驱动条件。 此设备是专为电池供电应用,如笔记本电脑和手机的应用。 该器件具有优良的通态电阻栅极驱动电压为2.5伏的低。
特点
-25 V,-0.46一个连续的,-1.0高峰。 的RDS(ON)= 1.5瓦@ VGS = -2.7 V时,RDS(ON)= 1.1 W @ VGS = -4.5 V 。
非常低的水平栅极驱动的要求,允许直接操作在3V电路。 VGS(TH)<1.5 V。
门源齐纳二极管的ESD坚固性。 > 6kV的人体模型。
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