概述
这些N沟道功率MOSFET的制造使用MegaFET过程。 这个过程中,它使用特征尺寸接近LSI集成电路的给出了硅的最佳利用,造成出色的表现。 他们设计的应用,如开关稳压器,开关转换器,电机驱动器,继电器驱动。 这些晶体管可直接从集成电路操作。
前身发育类型TA49018。
特点
50A,60V
R DS(ON)= 0.022 W
温度补偿的PSPICE ®模型
峰值电流和脉冲宽度曲线
统计研究所的评价曲线
175 ° C工作温度
应用笔记
AN - 7517:使用PowerMOS晶体管来驱动电感性负载的实践意义(104 K)8月05 ,2011
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