UCC27200A / 1A 系列高频N沟道 MOSFET 驱动器包括一个 120V 自举二极管和具有独立输入的高端/低端驱动器,旨在实现最大的控制灵活性。 这可在半桥式、全桥式、两开关正激式和有源箝位正激式转换器中提供N沟道 MOSFET 控制。 低端和高端栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了至 1ns 的匹配。 UCC27200A / 1A 基于广泛使用的 UCC27200 / 1 驱动器,但进行了一些改进。 为了提升噪声电源环境中的性能,UCC27200A / 1A 运用了一种增强型 ESD 输入结构,而且能够在其 HS 引脚上承受-18V (最大值) 的电压。
由于在芯片上集成了一个自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。 为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能,如果驱动电压低于规定的门限,则强制输出为低电平。
UCC27200A 提供了两种版本。 UCC27200A 具有高噪声免疫 CMOS 输入门限,而 UCC27200A1 则具有TTL兼容型门限。
两个器件可提供的封装方式为8引脚小尺寸集成电路(SOIC)(D), PowerPad™ SOIC-8(DDA),SON-8(DRM) 封装,一个9引脚 SON-9(DRC)封装和一个10引脚SON-10(DPR)封装。