TPS28226

说明
TPS28226是一个N沟道免费自适应死区时间控制驱动功率MOSFET高速驱动器。此驱动程序进行了优化，在各种高电流多相位的DC-DC转换器的使用。 TPS28226是一个解决方案，提供高效，体积小，低EMI emmissions。

性能达到8.8-V的栅极驱动电压，14 ns的自适应死区时间控制，14 ns的传播延迟和高电流源和4接收器的驱动能力。 0.4阻抗更低的栅极驱动器的持有低于其阈值功率MOSFET的栅极，并确保在高dV / dT相位节点转换没有直通电流。通过内部二极管充电的自举电容允许使用N沟道MOSFET半桥配置。


特性
两个N沟道MOSFET驱动器与14 ns的自适应死区时间
栅极驱动电压：6.8 V，8.8 V
电力系统列车宽输入电压：3 V至27 V
宽输入PWM信号：2.0 V，13.2 V幅度
能够驱动MOSFET与≥40 A电流每相
高工作频率：14 ns的传播延迟和10 ns上升/下降时间允许搅拌摩擦焊 - 2兆赫
能传播<30 ns输入PWM脉冲
低端电阻（0.4）的驱动程序库，防止相关的dV / dt的直通电流
三态PWM输入功率级关闭
节省空间启用（输入）和电源（输出）信号在同一个管脚
热关断
UVLO保护
内置自举二极管
经济SOIC-8和热增强型3毫米x 3毫米的DFN-8封装
热门的三态输入驱动器的高性能更换
应用
多相DC-DC转换器与模拟或数字控制
台式机和服务器Vrms和EVRDs
便携式/笔记本电脑稳压器
隔离电源的同步整流