说明
TPS28225和TPS28226是高速N通道免费自适应死区时间控制驱动功率MOSFET的驱动程序。这些驱动程序优化,在各种高电流多相位的DC-DC转换器中使用。 TPS28225/6是一个解决方案,提供高效,体积小,低EMI emmissions。
性能达到8.8-V的栅极驱动电压,14 ns的自适应死区时间控制,14 ns的传播延迟和高电流源和4接收器的驱动能力。 0.4阻抗更低的栅极驱动器的持有低于其阈值功率MOSFET的栅极,并确保在高dV / dT相位节点转换没有直通电流。通过内部二极管充电的自举电容允许使用N沟道MOSFET半桥配置。
特性
两个N沟道MOSFET驱动器与14 ns的自适应死区时间
广泛的栅极驱动电压:4.5 V至8.8至五最佳效率在7 V至1.8 V
电力系统列车宽输入电压:3 V至27 V
宽输入PWM信号:2.0 V,13.2 V幅度
能够驱动MOSFET与≥40 A电流每相
高工作频率:14 ns的传播延迟
10 ns上升/下降时间允许搅拌摩擦焊 - 2兆赫
能传播<30 ns输入PWM脉冲
低侧驱动器接收器电阻(0.4)
防止的dV / dt相关的直通电流
三态PWM输入功率级关闭
节省空间启用(输入)和电源(输出)信号在同一个管脚
热关断
UVLO保护
内置自举二极管
经济SOIC-8和热增强型3毫米x 3毫米的DFN-8封装
热门的三态输入驱动器的高性能更换
应用
多相DC-DC转换器与模拟或数字控制
台式机和服务器Vrms和EVRDs
便携式/笔记本电脑稳压器
隔离电源的同步整流
双开关正激转换器
有源钳位正激变换器
高电压同步降压转换器
D类音频放大器