说明
LM5105是一种高电压栅极驱动器驱动设计的高侧和低侧N通道MOSFET的同步降压或半桥配置。浮动高边驱动器的轨电压高达100V的工作能力。开关转换死区时间,通过紧密匹配回合延迟电路,单输入控制信号与TTL电平,一个单一的外部电阻器方案兼容。高电压二极管提供高侧栅极驱动的自举电容充电。强劲的水平移位技术工作的同时,耗电低功耗,高速,并提供干净的输出转换。欠压锁定禁用栅极驱动器时,要么偏低或偏高,自举电源电压低于操作门槛。
特性
在高端和低端N沟道MOSFET一侧两个驱动器
1.8A峰值栅极驱动电流
自举电源电压范围可达118V直流
集成自举二极管
单输入TTL兼容
可编程打开延误(死)
使能输入引脚
快速关闭传播延迟(26ns一般)
驱动1000pF的15ns的上升和下降时间
电源欠压锁定轨
低功耗
典型应用
固态电机驱动器
半桥和全桥功率转换器
包
LLP-10(4毫米x 4毫米)
全新原装进口,现货库存,欢迎来电询价
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