说明
LM5102高电压栅极驱动器设计用于驱动高边和两个低边N通道MOSFET的同步降压或半桥配置。浮动高边驱动器能够与高达100V的电源电压工作。独立控制的输出。每个输出的上升沿可以推迟独立编程电阻。一个集成的高电压二极管提供高侧栅极驱动的自举电容充电。一个强大的电平转换器在高速的同时,耗电低功耗和提供清洁的电平转换,从逻辑控制到高侧栅极驱动器。低侧和高侧电源轨提供欠压锁定。
特性
在高端和低端N沟道MOSFET一侧两个驱动器
独立可编程的高端和低端的上升沿延迟
自举电源电压范围可达118V直流
快速关闭传播延迟25纳秒(典型)
驱动1000 pF的负载15 ns的上升和下降时间
电源欠压锁定轨
低功耗
中途,通过序列可以终止定时器
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