说明
在LM5100A/B/C和高压栅极驱动器LM5101A/B/C设计驱动高边和低边N沟道MOSFET的同步降压或半桥配置。浮动高边驱动器的电源电压高达100V的经营能力。 “A”的版本提供了充分的栅极驱动3A,而“B”和“C”的版本1A和2A提供respectivamente。输出控制CMOS输入独立的阈值(LM5100A/B/C)或TTL输入阈值(LM5101A/B/C)。一个集成的高电压二极管提供高侧栅极驱动器的自举电容充电。一个强大的电平转换器在高速的同时,耗电低功耗和提供清洁的电平转换,从控制逻辑的高侧栅极驱动器。
特性
两个驱动器的高边和低边N沟道MOSFET
独立高和低驱动逻辑输入
自举电源电压高达118V直流
快速传播时间25纳秒(典型)
8 ns的上升和下降时间驱动1000 pF负载
优良匹配的传播延迟(3 ns典型值)
电源欠压锁定轨
低功耗
与HIP2100/HIP2101引脚兼容
典型应用
当前美联储推挽转换器
半桥和全桥功率转换器
同步降压转换器
两个开关正激的电源转换器
正激有源钳位转换器
包
采用SOIC-8
采用PSOP-8
LLP-8(4毫米x 4毫米)
LLP-10(4毫米x 4毫米)
eMSOP-8
全新原装进口,现货库存,欢迎来电询价
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