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描述
这是一个Non-Punch通过HGTG18N120BND不扩散核武器条约》(NPT)IGBT的设计。这是一个新成员的MOS封闭的高电压开关IGBT的家庭。结合的最佳特征IGBTs mosfet和双极晶体管。该器件具有高输入阻抗的场效应晶体管和低onstate双极晶体管导通损失。
是理想的IGBT的许多高电压开关应用操作以中等频率低传导损失的地方是必不可少的,如:交流和直流电机控制、电力供应以及驱动继电器和接触器、办公自动化设备。
特征
54A,1200V = 25°C,牵引力控制系统
SOA能力1200V切换
典型的秋天时间。。。。。。。。。。。。。。。140ns = 150°C在研究
短路评级
传导损失低 全新原装进口,现货库存,欢迎来电询价------------------------------------------------------------------------------------------
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