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描述
是一种MOS封闭的FGA30N60LSD高压开关器件mosfet结合的最佳特征和双极晶体管。该器件具有高输入阻抗的场效应晶体管和低导通状态的双极晶体管导通损失。
特征
低饱和:-发射极饱和压降低= 1.1V @ IC =课文中
高输入阻抗
传导损失低
应用程序/框图
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