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描述
这是不HGT5A27N120BN HGTG27N120BN冲床和不扩散核武器条约》(NPT)——通过IGBT的设计。这是一个新成员的MOS封闭的高电压开关IGBT的家庭。结合的最佳特征IGBTs mosfet和双极晶体管。该器件具有高输入阻抗的场效应晶体管和低导通状态的双极晶体管导通损失。
是理想的IGBT的许多高电压开关应用操作以中等频率低传导损失的地方是必不可少的,如:交流和直流电机控制、电力供应以及驱动继电器和接触器、办公自动化设备。
TA49280从前发育类型。
特征
- ,1200V 72A = 25°C,牵引力控制系统
- SOA能力1200V切换
- 典型的秋天时间。。。。。。。。。。。。。。。。140ns = 150°C在研究
- 短路评级
- 传导损失低
- SPICE模型热阻抗
温度补偿军刀模型
额定雪崩
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