概述
这种P沟道1.8V指定的MOSFET是一个坚固的门版本飞兆半导体先进的PowerTrench过程。 它已被优化的栅极驱动电压范围广(1.8V - 8V)电源管理应用。
特点
-13.5一个,-20诉R DS(ON
= 8.5MΩ@ V GS = -4.5 V
R DS(ON)= 10.5MΩ@ V GS = -2.5 V
R DS(ON)= 14MΩ@ V GS = -1.8 V
开关速度快
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术
高电流和功率处理能力
合格的AEC Q101
符合RoHS标准
应用/框图(S)
电源管理
负荷开关
电池保护
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