概述
N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench ®过程。 在硅和双酷™封装技术的进步,已被合并, 提供最低的R DS(ON),同时保持极低的结点到环境的热阻出色的开关性能。 该器件具有一个有效率的单片肖特基体二极管的额外的好处
特点
双酷™顶部冷却PQFN封装
最大R DS(ON)<分> = 1.2 MO在V GS = 10V,I D = 35
最大R DS(ON)= 1.7 MO在V GS = 4.5 V时,I D = 31一个
高性能技术非常低R DS(ON)
SyncFET肖特基体二极管
符合RoHS标准
应用/框图(S)
同步整流为直流/直流转换器
电信二次侧整流
高端服务器/工作站Vcore电压低侧
应用笔记
AN - 9056: (408 K) ,使用飞兆半导体双酷™MOSFET的8月19日,2011年
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