概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管的职权范围都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这一先进技术已特别针对小迈兹通态电阻,提供优越的开关perfor mance,并承受高能量脉冲在雪崩和通讯模式。 这些器件非常适合高有效开关模式电源供应器和有源功率因数校正。
特点
的R DS(ON)=2.1Ω(典型值)@ V GS = 10V,I D = 1.5A
低栅极电荷(典型值6.2nC)
低C RSS(典型值2.5pF的)
快速切换
100%的雪崩测试
改进的dv / dt能力
公共服务电子化“改进能力
符合RoHS标准
应用笔记
AN - 9725:健壮的身体,最后的功率MOSFET,谐振转换器的UniFET™II二极管特性(850 K)8月19日, 2011年
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