概述
这P沟道MOSFET飞兆半导体先进的功率沟槽过程是一个坚固的门版本。 它已被优化的电源管理要求的栅极驱动器的额定电压(4.5V - 20V)的广泛应用。
特点
最大R DS(ON)= 100MΩ@ V GS = 10 V,I D = 5.7A
最大R DS(ON)= 135MΩ@ V GS = -4.5 V,I D = 4.4A
低栅极电荷
开关速度快
高性能沟槽技术非常低R DS(ON)
高功率和电流处理能力
符合RoHS标准
应用/框图(S)
电源管理
负荷开关
电池保护
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