概述
这种P沟道2.5V指定的MOSFET是一个坚固的门版本飞兆半导体先进的PowerTrench过程。 电源管理应用进行了优化的栅极驱动电压范围广(2.5V - 8V)
特点
-8.0 A,-20 V
的R DS(ON)= 24 m宽的V GS = -4.5 V
的R DS(ON)= 32 m宽的V GS = -2.5 V
低栅极电荷(26nC典型)
开关速度快
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术
高功率和电流处理能力
应用/框图(S)
电源管理
负荷开关
电池保护
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