概述
这N沟道2.5V指定的MOSFET使用飞兆半导体先进的PowerTrench ®已特别定制,以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷的过程。
这些设备已被设计在一个非常小的的空间提供出色的功耗相比,具有更大的SO - 8和TSSOP - 8封装。
特点
最大R DS(ON)=24mΩ,在V GS = 4.5V,I D = 6.2A
最大R DS(ON)=32mΩ,在V GS = 2.5V,I D = 5.2A
开关速度快
低栅极电荷(8nC典型)
高性能沟槽技术非常低R DS(ON)
SuperSOT™C6包:占地面积小(72%小于标准SO - 8,低调(1mm厚)
HBM ESD保护水平> 2kV的典型(注3)
使用绿色包装材料制造
无卤化物
符合RoHS标准
应用/框图(S)
直流 - 直流转换
负荷开关
电池保护
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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