概述
N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench ®过程中,已特别针对减少通态电阻。
此设备是非常适合的电源管理和负载开关应用常见于笔记本电脑和便携式电池包。
特点
最大R DS(ON)=4.5mΩ,在V GS = 10V,I D = 18.5A
最大R DS(ON)=6.0mΩ,在V GS = 4.5V,I D = 16A
5.6kV典型(注3)HBM ESD保护水平
高性能沟槽技术非常低R DS(ON)
高功率和电流处理能力
符合RoHS标准
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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