概述
飞兆半导体先进的1.5伏的PowerTrench ®与艺术“细间距的”超薄的WLCSP封装过程中的状态的过程设计,FDZ375P最大限度地减少电路板空间和R DS( ON)。 这种先进的WLCSP封装的MOSFET,体现在包装技术的突破,使该器件结合优良的热传输特性,超低调包装,低栅极电荷和低R DS(ON )。
特点
最大R DS(ON)= 78mΩat的V GS = -4.5 V,I D = -2.0一个
最大R DS(ON)= 92MΩ在V GS = -2.5 V,I D = -1.5一个
最大R DS(ON)= 112MΩ,在V GS = -1.8 V,I D = -1.0一个
最大R DS(ON)= 150mΩat的V GS = -1.5 V,I = -1.0一个
只占用PCB面积1.0 mm2的。 不到30%的面积为2 × 2的BGA
只占用PCB面积1.0 mm2的。 不到30%的面积为2 × 2的BGA
符合RoHS标准
应用/框图(S)
电池管理
负荷开关
电池保护
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