M40Z300W

说明

该M40Z300 / W型的NVRAM主管是一个独立的装置，转换成非挥发性记忆体标准的低功耗SRAM。精密电​​压参考和比较器监视VCCinput是否超出容限的条件。

当一个无效VCCcondition发生，条件芯片使能输出（E1CONto E4CON）被迫停止到写保护在SRAM中存储的数据。在电源发生故障时，SRAM是从VCCpin切换到锂电池内SNAPHAT ®提供的数据保留所需的能量。在随后的电，仍写在SRAM功率条件下，直到一个有效的回报保障。

28针，330密耳SOIC封装提供，可直接连接镀金触点插座到一个单独的SNAPHAT住房含电池。该SNAPHAT房屋已镀金引脚确保可靠连接，用以交配的插座。住房，关键在于有一套以防止不正确插入。这种独特的设计使电池包的SNAPHAT拟就的SOIC封装顶部安装后的表面贴装过程的完成，大大减少了焊成的支架中板生产直接焊接或插入电池过程的复杂性。提供非挥发性成了“小菜一碟。”采用16引脚SOIC封装提供了一个外部用户提供的电池电池引脚。

在回流焊后SNAPHAT防止潜在的住房插入电池造成的损害进行设备表面安装所需的高温。该SNAPHAT住房也是扣住以防止反向插入。

28引脚SOIC封装和电池分别运往塑料防静电管或磁带和卷轴形式。对于28引脚SOIC，电池/水晶包（例如，SNAPHAT）的一部分，编号为“M4ZXX - BR00SH”。

主要特点

    转换成NVRAMs低功耗的SRAM
    精密电​​源监测和电源开关电路
    自动写保护时VCCis外的宽容
    双输入解码器允许多达8 SRAM的控制（2设备在并联型有源）
    电源电压和功率的选择失效取消电压：
        M40Z300：的VCC = 4.5 V至5.5 V的主题性住户统计= VSS的：4.5伏VPFD≤≤= VOUT的主题性住户统计为4.75 V：4.2 V时≤VPFD≤4.5伏
        M40Z300W：的VCC = 3.0 V至3.6 V的主题性住户统计= VSS的：2.8伏特≤3.0≤VPFD的Vcc = 2.7 V至3.3 V = VOUT的主题性住户统计：≤2.5伏采用2.7 V≤VPFD
    复位输出功率（RST）的上电复位
    电池低引脚（基本法）
    小于12 ns的传播延迟启用存取芯片（为5.0 V的设备）
    包装包括一个28引脚SOIC和SNAPHAT ®顶（需单独订购），或16引脚SOIC
    SOIC封装提供了一个SNAPHAT顶部包含电池直接连接
    符合RoHS标准
        无铅二级互连

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