M40Z111W

说明

该M40Z111 / W型的NVRAM主管是一个独立的装置，转换成非挥发性记忆体标准的低功耗SRAM。

精密电​​压参考和比较器监视VCCinput是否超出容限的条件。

当一个无效VCCcondition发生，条件芯片使能（经济）的输出被强制停止到写保护在SRAM中存储的数据。

在电源发生故障时，SRAM是从VCCpin切换到锂电池内SNAPHAT ®提供的数据保留所需的能量。在随后的电，仍写在SRAM功率条件下，直到一个有效的回报保障。

28针，330万在SOIC封装提供可直接连接到一个单独的SNAPHAT住房包含电池两端镀金触点插座。独特的设计使电池包的SNAPHAT拟就的SOIC封装顶部安装后的表面贴装过程完成。

在回流焊后SNAPHAT防止潜在的住房插入电池造成的损害进行设备表面安装所需的高温。该SNAPHAT住房是挂钩的防止反向插入。

采用SOIC封装和电池分别运往塑料防静电管或磁带和卷轴形式。对于28引脚SOIC封装，电池包（例如，SNAPHAT）的一部分，编号为“M4Z28 - BR00SH1”（SNAPHAT住房48毫安电池）或“M4Z32 - BR00SH1”（SNAPHAT 120 mAh电池外壳）。

主要特点

    转换成低功率SRAM的NVRAMs
    精密电​​源监测和电源开关电路
    自动写保护当VCCis外的宽容
    电源电压和功率的选择失效取消电压：
        M40Z111：的VCC = 4.5至5.5 V的主题性住户统计= VSS的;≤4.5≤VPFD = VOUT的主题性住户统计为4.75 V，4.2≤≤4.5伏VPFD
        M40Z111W：的VCC = 3.0至3.6 V性住户统计调查= VSS的; 2.8≤3.0≤VPFD的Vcc = 2.7至3.3 V性住户统计调查= VOUT的;≤2.5≤VPFD采用2.7 V
    小于15 ns的传播延迟启用存取芯片（为5.0 V的设备）
    包装包括一个28引脚SOIC和SNAPHAT ®顶（需单独订购）
    SOIC封装提供了一个SNAPHAT顶部包含电池直接连接
    符合RoHS标准
        无铅二级互连

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