说明
该控制器是一个集成电路BCD5(的BiCMOS - DMOS的,第5版)制造,提供高性能降压DC - DC和niPOL转换器完全控制逻辑和保护实现。
它是设计用于驱动同步整流降压拓扑结构的N -沟道MOSFET。 转换器的输出电压可精确调节到为600mV为± 0.8%,最高或到1.2V时,内部参考用一个宽容。 它也可以使用外部参考从0V到2.5V。 输入电压范围从1.8V至14V,当电源电压范围为4.5V至14V。 高峰值电流栅极驱动器提供快速切换到外部电源部分,输出电流可在不超过20A,这取决于所使用的外部MOSFET的数目。 PWM占空比的范围可以从0%到100%,最小导通时间(T ON时 , 分 )低于100ns的高开关频率的转换成为可能具有非常低的占空比和非常。
该器件提供电压模式控制。 它包括一个400kHz的自由运行的振荡器,可调从100kHz至1MHz。 误差放大器具有10MHz的增益带宽产品和5V/μs摆率,允许以实现快速瞬态响应的高转换带宽。 该设备监控)目前使用的 R DS(两个高边和低边MOSFET(S)和消除需要一个电阻电流感应,保证有效的过电流保护在所有的应用条件。 必要时,两种不同的电流限制保护,可通过外部设置两个外部电阻器。 可调的前沿消隐时间也可用来避免错误过电流保护(OCP)在每一个应用情况的干预措施。 这是可以选择的打嗝模式或恒流保护(L6730D)后软启动阶段。
在软启动阶段恒流提供保护。 这是可能的选择(在设备开启)的源库,或由一个多功能引脚(L6730C)代理源只读模式的能力。 禁用的L6730C在软启动,以便让下沉模式功能,在预偏置输出电压条件下适当的启动也。 该L6730D可以随时吸收电流,因此它可以用来提供对DDR内存总线终端。 其他功能是主从同步(与180 °相移),电源与可调延时,过电压保护,反馈断开,可选UVLO阈值(5V和12V总线)和热关断好。 该HTSSOP20包允许真正紧凑型DC / DC转换器的实现。
主要特点
输入电压范围从1.8V到14V
电源电压范围为4.5V到14V
可调输出电压低至0.6V,± 0.8%精度过电压和温度(0˚℃〜125˚三)
固定频率电压模式控制
T在低于100ns的
0%至100%的占空比
可选择0.6V的内部参考电压或1.2V
外部输入电压基准
软启动和抑制
嵌入式高电流驱动
预测反crossconduction控制
可选择的UVLO阈值电压(5V或12V总线)
可编程的高侧和低侧的 R DS(上)的意义过电流保护
可编程开关频率从100kHz到1MHz
主/ 180˚与相移从同步
预偏置启动能力(L6730C)
可选的源/汇或来源只有能力后软启动(L6730C)
可选恒流或打嗝模式后软启动(L6730D)过流保护
电源良好输出具有可编程延迟
多年来与选择锁定/未锁定模式电压保护
热关断
包装:HTSSOP20,QFN4x4 24L
全新原装进口,现货库存,欢迎来电询价
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