L6730

说明

该控制器是一个集成电路设计采用的BiCMOS - DMOS的，第5版（BCD5）技术，提供完整的控制逻辑和生产高性能的保护，降压直流/直流转换器和niPOL。

它是设计用于驱动同步整流降压转​​换器拓扑结构的N -沟道MOSFET。 转换器的输出电压可精确调节到600 mV时，为± 0.8％的最高容忍，或至1.2 V，当一个内部参考使用。

它也可以使用从0 V的外部引用2.5五

输入电压范围可以从1.8 V至14 V，而电源电压范围从4.5 V至14五高峰值电流栅极驱动器快速切换到外部电源部分，输出电流可在20提供一个多余，对使用外部MOSFET数量而定。 PWM占空比的范围可以从0％到100％，最低生理盐水─（大于min））较低的100时间（T ON时 ，转换成为可能具有非常低的占空比和非常高的开关频率。

该器件提供电压模式控制。 它包括一个400 kHz的自由运行的振荡器，调整范围从100 kHz到1兆赫。 误差放大器的特点10 M​​Hz增益- bandwidthproduct和5 V /μs压摆率，允许以实现快速瞬态响应的高转换带宽。 该装置通过使用监控双方的海赛德和低边MOSFET（S）和省去了电流检测电阻的需要，保证了电流的使用条件，在所有有效保护的RDS（ON）电流。 必要时，两种不同的电流限制保护，可通过外部设置两个外部电阻器。 可调的前沿消隐时间也可用来避免错误过电流保护（OCP的）在每个应用程序的情况干预。

这是可以选择的打嗝模式或恒流保护（L6730B）后软启动阶段。

在这一阶段提供恒定电流保护。 这是可能的选择sinksource或源- only模式功能由一个多功能引脚（L6730）代理（在设备通电）。 禁用的L6730在软启动，以便让下沉模式功能，在预偏置输出电压条件下适当的启动也。 该L6730B可以随时吸收电流，因此它可以用来提供对DDR内存总线终止。

其他功能还包括主从同步（与180 °相移），电源良好可调延迟过电压保护，断开反馈，可选择UVLO阈值（5 V和12 V总线）和热关断。 该HTSSOP20包可以非常紧凑型DC / DC转换器的实现。

主要特点

    输入电压范围从1.8 V至14 V的
    电源电压范围从4.5 V至14 V的
    可调输出电压低至0.6 V的± 0.8％的电压精度和温度（0℃〜125℃）
    固定频率电压模式控制
    T在低于100毫微秒
    0％至100％的占空比
    可选的0.6 V或1.2 V内部电压基准
    外部输入电压基准
    软启动和抑制
    嵌入式高电流驱动
    预测反交叉传导控制
    可选择的UVLO阈值（5伏或12伏总线）
    可编程的高侧和低侧的RDS（on）的意义过流保护
    从100 kHz的开关频率为1兆赫的可编程
    主/ 180 °相移从同步
    预偏置启动能力（L6730）
    可选的源/汇或来源只有能力后软启动（L6730）
    可选恒流或打嗝模式后软启动（L6730B）过流保护
    电源良好输出，可编程延时
    可选过压保护锁存/非锁存模式
    热关断
    包装：HTSSOP20

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