FQB12P20

概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这种先进的技术已被特别定制，以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合低电压应用，如高效率开关直流/直流转换器，直流电动机的控制。

特点
- 11.5A，200V，电阻R DS（ON）= 0.47 W @ V GS = - 10V
低栅极电荷（典型的31 NC）
低CRSS（典型值30 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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