概述
这N沟道MOSFET已专门设计,提高整体效率,并尽量减少使用同步或常规的开关PWM控制器的DC / DC转换器开关节点振铃。 它已被优化为低栅极电荷和非常低R DS(ON)。
特点
最大R DS(ON)= 1.1 MO在V GS = 10 V,I D = 36一个
最大R DS(ON)= 1.6 MO在V GS = 4.5 V时,I D = 32一个
低R DS(on)和高效率的先进的封装和硅结合
MSL1健壮的包装设计
100%UIL的测试
符合RoHS标准
应用/框图(S)
OringFET
同步整流
应用说明
AN - 9056: (408 K) ,使用飞兆半导体双酷™MOSFET的08月12日,2011年
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