FPF1007

描述

该FPF1007/8/9是_低 R DS P沟道MOSFET的负载开关在80μs提供一个选择的10微秒，与1ms的压摆率的开启控制选项瞬态/浪涌电流。 为了支持移动应用需求的趋势，最小工作输入电压已降低到1.2伏，输入电流泄漏已被最小化，以延长电池寿命，以及ESD保护被设计为承受8kV的最低（HBM）的及2KV（CDM）的。

该开关是控制高有效逻辑输入（脚），允许它的接口与一个低电压信号直接控制。 ON引脚的下拉电阻内部可防止无意设备开启时，在初始状态。 片上下拉电阻对输出时启用开关打开，关闭，提供了快速和强大的输出负载放电。

特征

• 1.2至5.5V输入电压范围
• 典型_的 R ON = 30mΩ的@ _{在V IN} = 5.5V时
• 典型_的 R ON = 40mΩ的@ _{在V IN} = 3.3V时
• 三种不同固定导通上升时间10μs/80μs/1ms
• 低<10μA的@ _{在V IN} = 3.3V的静态电流
• 内部拉动牵制
• 输出放电功能
• 上述8000V ESD保护2000V的HBM和清洁发展机制
• 符合RoHS标准

应用程序/框图