概述
这单N沟道MOSFET的设计采用了飞兆半导体先进的功率沟槽过程优化的 R DS(ON),@ V GS = 2.5V 。
特点
为200 mA,20 V,
R DS(ON)= 5Ω@ V GS = 4.5V
R DS(ON)= 7Ω@ V GS = 2.5V
ESD保护二极管(注3)
符合RoHS标准
应用/框图(S)
锂离子电池
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