概述
这些P沟道2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程,已特别定制,以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷。
特点
3.8A,- 20V。 R =0.075Ω@ V GS = 4.5V,电阻R DS(ON)=0.105Ω@ V GS = 2.5V。
低栅极电荷(7nC典型值)。
开关速度快。
高性能沟槽技术非常低R DS(ON)。
高功率和电流处理能力。
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