FDS6570A

概述
这N沟道2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench过程中，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，同时保持出色的开关性能。
这些器件非常适用于低压和电池供电应用的低线的功率损耗和快速开关所需。

特点
15 A，20 V的R DS（ON）= 0.0075 W @ V GS = 4.5 V，R DS（ON）= 0.010 W @ V GS = 2.5 V。
低栅极电荷（47nC典型）。
开关速度快。
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术。
高功率和电流处理能力。

应用/框图（S）
DC / DC转换器
负荷开关
电池保护

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