概述
这种P沟道2.5V指定的MOSFET是在一个坚固的门版本飞兆半导体先进的PowerTrench过程。 它已被优化的栅极驱动电压范围广(2.5V - 12V)电源管理应用。
特点
一个-11,-20五
R DS(ON)= 0.014 W @ V GS = -4.5 V
R DS(ON)= 0.020 W @ V GS = -2.5 V
电池的应用扩展V GSS范围(2V“)
低栅极电荷(44nC典型)
开关速度快
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术
高功率和电流处理能力
符合RoHS标准。
应用/框图(S)
负荷开关
电池保护
电源管理
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