概述
这种P沟道2.5V指定的MOSFET是一个坚固的门版本飞兆半导体先进的PowerTrench过程中产生的。 它已被优化的栅极驱动电压范围广(2.5V - 12V)电源管理应用。
特点
-2,-20五,R DS(ON)= 0.08 W @ V GS = -4.5 V,R DS(ON)= 0.13 W @ V GS = -2.5 V 。
扩展V GSS电池的应用范围(± 12V)。
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术。
增强的电源SuperSOT™-3(SOT - 23)。
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