概述
这N沟道增强型场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的,高细胞密度,DMOS技术。 这非常高的密度过程,尤其是量身定制,以最大限度地减少通态电阻。 本装置已设计,特别是对于作为替代,为双极型数字晶体管和小信号MOSFET低电压应用。
特点
0.95一个,25 V的R DS(ON)= 0.45 W @ V GS = 4.5 V 。
的R DS(ON)= 0.60 W @ V GS = 2.7 V 。
低栅极电荷(1.64 NC典型)
非常低的水平栅极驱动的要求,允许直接操作在3V 电路(VGS(TH)1.5V )。
门源齐纳ESD的耐用性(6KV人体模型)。
紧凑型的行业标准采用SC70 - 6表面贴装封装。
应用/框图(S)
负荷开关
电池保护
电源管理
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