概述
这些逻辑电平N沟道功率MOSFET的制造使用MegaFET过程。 这个过程中,它使用特征尺寸接近LSI集成电路的给出了硅的最佳利用,造成出色的表现。 它们被设计用于与驾驶来源中的应用,如可编程控制器,汽车开关,开关稳压器,开关转换器,马达继电器驱动器和双极型晶体管的发射极开关的逻辑电平(5V)。 这样的业绩是通过一个特殊的栅氧化层的设计,在3V至5V的范围内提供门偏见全额定导,从而促进真正的关闭电源控制直接从逻辑电路的电源电压。
前身发育类型TA09871。
特点
16A,50V
R DS(ON)= 0.047 W
UIS SOA评价曲线(单脉冲)
5V栅极驱动的优化设计
则可直接驱动,从CMOS,NMOS TTL电路
与汽车的驱动要求兼容
SOA是功耗限制
纳秒开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
多数运营商Devicee
相关文献
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