概述
MXD1210非易失性内存控制器是一个非常低功耗的CMOS电路转换成标准(挥发)的CMOS RAM非易失性内存。它也在不断监测的供电电源到RAM中时,在边际条件超差(出)提供RAM写保护。当电源开始失败,内存写保护,设备切换到电池备份模式。
关键特性
Battery Backup
Memory Write Protection
230µA Operating-Mode Quiescent Current
2nA Backup-Mode Quiescent Current
Battery Freshness Seal
Optional Redundant Battery
Low Forward-Voltage Drop on VCC Supply Switch
5% or 10% Power-Fail Detection Options
Tests Battery Condition During Power-Up
8-Pin SO Available
应用/使用
µP控制系统
计算机:台式机、工作站和服务器
嵌入式系统
全新原装进口,现货库存,欢迎来电询价
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