LM5114

说明
LM5114升压型配置或次级同步MOSFET设计用于驱动低边MOSFET驱动隔离拓扑。具有很强的灌电流能力，LM5114可以驱动多个并联FET的。 LM5114具有功能necesario也带动低端的增强型氮化镓（GaN）场效应管。 LM5114提供非反相的反相输入和反相和非反相栅极驱动器在一个单一设备类型，以满足要求。 LM5114输入TTL兼容的逻辑输入和承受电压高达14V，无论VDD电压。 LM5114已分裂门输出，提供灵活调整导通和关闭实力独立。

特性

独立的源和汇输出可控的上升和下降的时间。
〜+4 V至+12.6 V单电源供电
7.6A/1.3A峰汇/源电流驱动
0.23Ω漏极开路输出下拉下沉
2Ω开漏输出上拉源
为12ns（典型值）的传播延迟
输入反相和非反相之间的匹配延迟时间
TTL逻辑输入
0.68V的输入迟滞
高达+14 V的逻辑输入（VDD电压无关）
低输入电容：2.5pF（典型值）
-40°C至+125°C的工作温度范围
与MAX5048引脚对引脚兼容包
SOT-23-6
LLP-6（3毫米x 3毫米）

全新原装进口，现货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入：润百年@开关电源管理IC/芯片
（RCC）,电子元器件全球独立供应商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制