说明
LM5060高边保护控制器在正常/关转换和故障条件提供一个高边N沟道MOSFET的智能控制。浪涌电流控制输出电压的上升时间几乎不变。当输出电压达到输入电压和MOSFET是充分的,一个电源良好输出指示。带迟滞的输入欠压锁定输出,提供以及可编程输入过电压保护。使能输入提供远程开/关控制。可以作为第二个启用输入的安全冗余的可编程欠压锁定输入。一个单一的初始启动的VGS故障检测延迟时间,过渡VDS故障检测延迟时间,连续过电流VDS的故障检测延迟时间的电容方案。当检测到故障状态持续超过允许的故障延误时间较长时,MOSFET被锁定,直到使能输入或翻转的欠压锁定输入低,再高的。
特性
可在汽车级/的AEC Q-100
宽输入电压范围:+5.5 V至+65 V
小于15μA的静态电流,在禁用模式
安全连接容性负载控制输出上升时间
电荷泵为外部N沟道MOSFET栅极驱动器
可调节的欠压锁定(UVLO)迟滞
UVLO的服务需要安全冗余的系统,第二个启用输入
可编程故障检测延迟时间
锁定后,负载故障关闭MOSFET检测
有源低开漏电源良好输出(nPGD)
可调输入过电压保护(OVP)
过电压关机后立即重新启动
全新原装进口,现货库存,欢迎来电询价
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