LM329

说明
LM329是一个精确的多电流温度补偿较分立二极管少10至100倍的动态阻抗6.9V齐纳参考。建造在一个单一的硅芯片，LM329采用有源电路，缓冲允许设备在性能上几乎没有变化超过0.5 mA至15 mA范围内经营的内部齐纳。 LM329是0.01％/°C的温度系数此参考还具有出色的长期稳定性和低噪声。

一个新的地下齐纳击穿的LM329给出更低的噪音和更好的长期​​稳定比传统的IC齐纳二极管。进一步的齐纳和温度补偿晶体管是由一个平面的过程，所以它们是免疫的问题，困扰着普通的齐纳二极管。例如，有几乎没有齐纳电压的电压漂移，由于温度循环和设备是不敏感，强调对线索。

可以用来代替传统的齐纳二极管与改进性能的LM329。低动态阻抗简化了偏置和宽工作电流允许更换许多类型的齐纳。

操作LM329在0°C至70°C，是在一个TO-92环氧树脂封装。

特性

0.6 mA至15 mA的工作电流
在任何电流阻抗0.8Ω动态
可与0.01％/°C间的温度系数
7μV宽带噪声
5％的初始误差
0.002％的长期稳定
低成本
地下齐纳

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