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描述
是一种MOS封闭的HGTG40N60A4高电压开关装置的最佳特征相结合的场效应晶体管和双极晶体管中。该器件具有高输入阻抗的场效应晶体管和低导通状态的双极晶体管导通损失。较低的电压降的导通状态变化之间只有25°C和适度150°C。这IGBT是理想的许多高电压开关应用程序运行在高频段低传导损失的地方是至关重要的。该装置进行了优化,为高频频率切换式电源供应。
TA49347从前发育类型。
特征
在更大的占空比,40A达100kHz操作
在更大的占空比,200kHz 20A操作
SOA能力600伏特转换
典型的秋天时间。。。。。。。。。。。。。。。。。。.55ns 125°在场上具有强烈的=
传导损失低 全新原装进口,现货库存,欢迎来电询价------------------------------------------------------------------------------------------
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