FDMS86201

概述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进功率沟槽®过程中已特别定制，以尽量减少通态电阻和保持出色的开关性能。

特点

最大R DS（ON）= 11.5MΩ在V GS = 10V，I D = 11.6一
最大R DS（ON）= 14.5MΩ在V GS = 6伏，I D = 10.7一
低R DS（on）和高效率的先进的封装和硅结合
MSL1健壮的包装设计
100％UIL的测试
符合RoHS标准

应用/框图（S）

DC - DC转换

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理IC 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。