概述
此设备是专门为在蜂窝手机和其它超便携式应用的电池充电开关的单一封装解决方案。 它具有两个独立的P沟道MOSFET与低通态电阻最低的导通损耗。 在典型的共同源配置连接时,双向电流流是可能的。
这些MicroFET 2X2封装提供了卓越的物理尺寸的散热性能和线性模式的应用程序非常适合。
特点
最大R DS(ON)= 90MΩ在V GS = -4.5 V,I D = -2.9一个
最大R DS(ON)= 130mmΩ在V GS = -2.5 V,I D = -2.6一个
最大R DS(ON)= 170mmΩ在V GS = -1.8 V,I D = -1.7一个
最大R DS(ON)= 240mmΩ在V GS = -1.5 V,I D = -1.0一个
低调,在新封装的MicroFET的2x2毫米 - 0.8毫米最大 -
HBM ESD保护水平> 2千伏(注3)
符合RoHS标准
应用笔记
AN - 0953:大会的MicroFET 2X2包装准则 “(133 K)2011年8月12日,
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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