概述
已专此N沟道MOSFET,以改善整体效率直流/直流转换器,PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化在小开关regulaters,使用,提供极低的 R DS(ON)和栅极电荷(Q G)在一个小包裹。
特点
最大R DS(ON)= 70MΩ在V GS = 4.5V,I D = 2.2
最大R DS(ON)= 77MΩ在V GS = 2.5V,I D = 2.0 A
最大R DS(ON)= 87MΩ在V GS = 1.8V,I D = 1.8
最大R DS(ON)= 115MΩ,在V GS = 1.5V,I D = 1.5 A
HBM ESD保护水平> 2千伏(注3)
高性能沟槽技术非常低R DS(ON)
高功率和电流处理能力
开关速度快
低栅极电荷
符合RoHS标准
应用/框图(S)
DC / DC转换器
电源管理
负荷开关
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