概述
这些P沟道1.8V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench过程中,已特别定制,以最大限度地减少通态电阻,同时保持出色的开关性能低栅极电荷。
特点
2.5A,- 12V。
R DS(ON)=90米W @ V GS = 4.5V
R DS(ON)=125米W @ V GS = 2.5V
R DS(ON)=200米W @ V GS = 1.8V
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术
SuperSOT™-6包:体积小(比标准SO - 8小72%);低调(1mm厚)
应用/框图(S)
电源管理
负荷开关
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