说明
NexFET™功率MOSFET的设计,以尽量减少电源转换应用中的损失和5V栅极驱动应用进行了优化。
特性
DualCool™封装的5×6毫米
优化的双面冷却
5V栅极驱动优化
超低的Qg和Qgd
低热阻
雪崩额定
无铅端子电镀
符合RoHS和无卤素
应用
在网络负载点同步降压,
电信和计算机系统
同步FET金控制应用优化
全新原装进口,现货库存,欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入:润百年@开关电源管理IC/芯片
(RCC),电子元器件全球独立供应商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有,未经批准不得复制