说明
CMOS bq2205的SRAM非易失性复位控制器,非易失性读/写存储器转换成一个或两个标准的CMOS SRAM银行提供所有必要的功能。
一个精密比较器监视3.3 V的VCC输入为一个彻头彻尾的容忍条件。当检测容忍,空调这两个芯片使能输出被迫无效SRAM的写保护银行。
外部SRAM的VOUT,接通电源VCC电源从电池备用电源为VCC衰减。在随后的权力的VOUT电源自动切换的备用电源VCC电源。外部SRAM的写保护,直到电源有效的条件存在。复位输出提供掉电复位系统上电。在权力有效运行,输入解码器,选择两个SRAM的银行之一。
特性
电力监控和非易失性SRAM的控制开关
输入解码器可控制1或2个银行的SRAM
写保护控制
3-V的原代细胞输入
3.3 V操作
系统上电复位的复位输出
小于20 ns的芯片启用传播延迟
小的16引脚TSSOP封装
应用
NVSRAM的模块
销售点系统
传真机,打印机和复印机
因特网设备
服务器
医疗仪器及工业产品
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